G1006LE دیتاشیت

G1006LE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G1006LE
حجم فایل 79.774 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G1006LE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G1006LE
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 622pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 143mΩ
  • Package: SOT-23-3L
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه